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DS1746/DS1746P Y2K-Compliant, Nonvolatile Timekeeping RAMs
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DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(
VCC = 3.3V ±10%, TA = Over the Operating Range.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Active Supply Current
Icc
30
mA
2, 3, 10
TTL Standby Current
( CE = VIH)
Icc1
2
mA
2, 3
CMOS Standby Current
( CE ≥VCC-0.2V)
Icc2
2
mA
2, 3
Input Leakage Current (any input)
IIL
-1
+1
A
Output Leakage Current
(any output)
IOL
-1
+1
A
Output Logic 1 Voltage
(IOUT = -1.0 mA)
VOH
2.4
1
Output Logic 0 Voltage
(IOUT = +2.1 mA)
VOL
0.4
1
Write Protection Voltage
VPF
2.80
2.97
V
1
Battery Switchover Voltage
VSO
VBAT
or
VPF
V
1, 4
AC CHARACTERISTICS—READ CYCLE (5V)
(VCC = 5.0V ±10%, TA = Over the Operating Range.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
tRC
70
ns
Address Access Time
tAA
70
ns
CE to DQ Low-Z
tCEL
5
ns
CE Access Time
tCEA
70
ns
CE Data Off Time
tCEZ
25
ns
OE
to DQ Low-Z
tOEL
5
ns
OE
Access Time
tOEA
35
ns
OE
Data Off Time
tOEZ
25
ns
Output Hold from Address
tOH
5
ns
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